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Doppel OPV mit FET-Eingängen , rauscharm, +/- 18V max, 75mW, 3MHz, SR 13V/us, Gehäuse SOIC8

Doppel OPV mit FET-Eingaengen , rauscharm, +/- 18V max, 75mW, 3MHz, SR 13V/us, Gehaeuse DIP8

Vierfach OPV mit FET-Eingaengen ,rauscharm, +/- 18V max, 75mW, 3MHz, SR 13V/us, Gehaeuse DIP14

Vierfach OPV Gehäuse SOJ14

Einfach OPV mit FET-Eingaengen , +/- 18V max, 100mW, 3MHz, SR 12V/us, Gehaeuse DIP8

Doppel OPV mit FET-Eingaengen , +/- 18V max, 100mW, 3MHz, SR 12V/us, Gehaeuse DIP8

Vierfach OPV mit FET-Eingaengen,+/- 18V max, 100mW, 3MHz, SR 12V/us, Gehaeuse DIP14

Drucktaster Aus-Tast (Ein), Abm 12x12mm, Printausfuehrung, Gesamthöhe 7.3mm, Knopfaufnahme 3.3x3.3mm

Spannungsreferenz, Gehäuse TO92

Datenblatt:

Advanced Lin-CMOS Doppel-OPV, Rauscharm, Low Power,
Rail to Rail, min. Ub +/- 2,2V, max. Ub +/-8V, Gehaeuse DIP8

Advanced Lin-CMOS Doppel-OPV, Rail to Rail, Rauscharm, min. Ub +/- 2,2V, max. Ub +/-8V, Gehaeuse DIP8

OPV, CMOS, Single Supply, Rauscharm, Ubmax +18V, fg 2MHZ, SR 3,6V/uS, Gehaeuse DIP8

Datenblatt: