FET's/Mosfet's

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  • 2N3819 Central Semi

    N-Kanal Fet, TO92

    Datenblatt:

    Aufgenommen am: 20/01/2017

    Preis 0.95 EUR
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  • Bestseller
    2N3819 Central Semi
    N-Kanal Fet, TO92

    Datenblatt:

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  • Bestseller

    [112-0621]

    2N5457

    N-Kanal Fet, TO92

    Datenblatt:

    Aufgenommen am: 04/11/2013

    Preis 1.10 EUR
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  • Bestseller
    2N5457

    [112-0621]

    N-Kanal Fet, TO92

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  • 2N5458 Central Semi

    N-Kanal Fet, TO92

    N-channel FET, TO92

    Datasheet:

    Aufgenommen am: 11/07/2006

    Preis 0.95 EUR
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  • Bestseller
    2N5458 Central Semi
    N-Kanal Fet, TO92

    N-channel FET, TO92

    Datasheet:

    Aufgenommen am: 11/07/2006

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  • Bestseller

    [112-034]

    2N5460

    P-Kanal J-FET, -40V, 350mW/TO92

    Datenblatt:

    Aufgenommen am: 05/01/2012

    Preis 0.34 EUR
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  • Bestseller
    2N5460

    [112-034]

    P-Kanal J-FET, -40V, 350mW/TO92

    Datenblatt:

    Aufgenommen am: 05/01/2012

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  • 2N7000 (RoHS)

    N-Kanal vertical D-MOS Transistor, 60V, 200mA, 830mW

    Datenblatt:

    Aufgenommen am: 25/12/2007

    Preis 0.12 EUR
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  • Bestseller
    2N7000 (RoHS)
    N-Kanal vertical D-MOS Transistor, 60V, 200mA, 830mW

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  • Bestseller

    [112-051]

    Hersteller: Toshiba

    2SK30A-GR

    N-Kanal J-FET, 50V/6.5mA/TO92

    Datenblatt:

    Aufgenommen am: 06/11/2021

    Preis 0.77 EUR
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  • Bestseller
    2SK30A-GR
    N-Kanal J-FET, 50V/6.5mA/TO92

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  • Bestseller

    [112-052]

    Hersteller: Toshiba

    2SK30ATM-Y

    N-Kanal J-FET, 50V/6.5mA/TO92

    Datenblatt:

    Aufgenommen am: 28/01/2006

    Preis 1.15 EUR
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    2SK30ATM-Y
    N-Kanal J-FET, 50V/6.5mA/TO92

    Datenblatt:

    Aufgenommen am: 28/01/2006

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  • BF256B

    N-Kanal FET, Gehäuse TO92

    Datenblatt:

    Aufgenommen am: 03/01/2012

    Preis 0.30 EUR
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    BF256B
    N-Kanal FET, Gehäuse TO92

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  • BS170 (RoHS)

    N-Kanal vertical D-MOS Transistor, 60V, 200mA, 830mW

    Datenblatt:

    Aufgenommen am: 28/01/2006

    Preis 0.18 EUR
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    BS170 (RoHS)
    N-Kanal vertical D-MOS Transistor, 60V, 200mA, 830mW

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    Aufgenommen am: 28/01/2006

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    [112-000]

    Hersteller: Diodes Inc.

    BS250P

    P-Kanal vertical D-MOS Transistor, 45V, 200mA, 830mW

    Datenblatt:

    Aufgenommen am: 30/01/2013

    Preis 0.75 EUR
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    BS250P
    P-Kanal vertical D-MOS Transistor, 45V, 200mA, 830mW

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  • IRF520N

    N-Kanal Power Mosfet, 100V, 9,7A, 48W, 0.20R,
    Gehaeuse TO220AB

    Aufgenommen am: 19/04/2012

    Preis 0.48 EUR
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  •  
    IRF520N
    N-Kanal Power Mosfet, 100V, 9,7A, 48W, 0.20R,
    Gehaeuse TO220AB

    Aufgenommen am: 19/04/2012

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  •  

    [112-040]

    IRF530N

    N-Kanal Power Mosfet, 100V, 17A, 70W, 0.09R,
    Gehaeuse TO220AB

    Aufgenommen am: 19/04/2012

    Preis 0.50 EUR
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  •  
    IRF530N

    [112-040]

    N-Kanal Power Mosfet, 100V, 17A, 70W, 0.09R,
    Gehaeuse TO220AB

    Aufgenommen am: 19/04/2012

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